Schottky-Diode
Statt zwei unterschiedlich dotierten Halbleitern wird ein Metall mit n- oder p-Halbleiter kombiniert. Somit verkleinert sich die Raumladungszone auf die Hälfte. Die Kennlinie ist durch den größeren Sperrstrom steiler, somit leitet sie bei kleineren Durchlassspannungen.
Verwendung
- Höchstfrequenzdetektor: Speicherzeiten entfallen fast komplett, da nur ein Typ von Ladungsträgern in der Raumladungszone vorhanden ist.
- Antisättigungsdiode (Baker-Clamp): pn-Diode parallel zur Schottky-Diode verhindert eine Übersättigung der pn-Diode.
- Vorteile: Kleinere Vorwärtsspannung
- Nachteile: Der Sperrstrom ist höher
Anwendung in Schaltnetzteile, da die Verlustleistung durch die geringe Vorwärtsspannung geringer ist.