MOSFET Kleinsignal ESB

  • Allgemein Nichtlineares Modell
  • Linearisierung um den DC Arbeitspunkt

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  • … Eingangskapazität
Transkonduktanz

  • Beschriebt, wie der Drainstrom mit der Gate-Source Spannung anstiegt.
  • Er repräsentiert die Verstärkungsfähigkeit des Transistors
  • Auch die Steilheit der Stromquelle
Ausgangsleitwert

  • Ă„nderung des Drainstroms mit der Gate-Source Spannung
  • Idealerweise 0 im Sättigungsbereich (Steilheit der Stromquelle)
  • Im Triode-Betrieb gleich dem mit eingestellten Widerstand
Transitfrequenz

Frequenz, bei der der Transistor auf eine Verstärkung von genau 1 Abfällt

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Ein hohes bedeuted

  • Schnelleres Schalten
  • Höhere mögliche Bandbreite
  • Bessere RF performance
erhöht sich mit: verringert sich mit
höheres größeren Parasitären Kapazitäten
Höherer Biasstrom oder größeres größere Flächen

Referenzen